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有機金属化合物(MO)

高純度化学品・半導体製造用装置

概要

化合物半導体のオプトエレクトロニクス・HEMT・GaAsICなどへの応用が本格的に進められており、そのエピタキシャル結晶成長法として、MO-CVD法が使われております。当社の有機金属化合物(MO)は、化学メーカーとして蓄積された精製、分析、取り扱い技術により、不純物が極めて少ない高純度品として、高い評価を得ており、III-V族、II-VI族MO-CVD材料として多くの実績を重ねております。

当社の代表的なMO

化合物名 分子量 沸点(℃)
Ga(CH3)3 トリメチルガリウム 114.8 56
Ga(C2H5)3 トリエチルガリウム 156.9 143
Al(CH3)3 トリメチルアルミニウム 72.1 127
In(CH3)3 トリメチルインジウム 159.9 88 (m.p.)*
Zn(CH3)2 ジメチル亜鉛 95.4 44
Zn(C2H5)2 ジエチル亜鉛 123.5 118
(C5H5)2Mg ビスシクロペンタジエニルマグネシウム 154.5 177 (m.p.)*
*
m.p.:融点(℃)

UBE MOの品質

純度 いずれのMOとも 純度 99.999%以上です。
TMG分析例
(ppm)
Al < 0.09   Cr < 0.05   Mg < 0.02   Zn < 0.05
Ca < 0.02   Cu < 0.03   Mn < 0.02      
Cd < 0.03   Fe < 0.05   Si < 0.2      

用途、荷姿

用途
  • 発光ダイオード(LED)
  • 半導体レーザ(LD)
  • 電界効果トランジスタ(FET)
  • 高速コンピュータ用(IC、HEMT)
  • ホール素子
  • 太陽電池
荷姿
  • 容器(ボンベ) 100ml、150ml、250ml、330ml、400ml、600ml、750ml、1,150ml、2,600ml
  • ステンレス容器

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