概要
電子、半導体分野での薄膜形成方法としてMOCVD法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)、ALD法(Atomic Layer Deposition)が用いられています。当社ではこれらの形成手法に使用される金属錯体材料(Precursor)をUBE独自の合成・精製技術を用いて各種開発しております。用途は配線・バリア・電極用の金属(Ru、Co、Mn他)材料から、絶縁膜・保護膜用の材料(Al、Mg、Fe、Zn他)に至るまで幅広く取り揃えております。(開発品)
用途、荷姿
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お問い合わせ先
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- 宇部興産(株)
- 化学カンパニー 電池材料・ファイン事業部
高純度化学薬品グループ - TEL:03-5419-6181
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