ALD/CVD用金属錯体材料

概要

電子、半導体分野での薄膜形成方法としてMOCVD法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）、ALD法（Atomic Layer Deposition）が用いられています。当社ではこれらの形成手法に使用される金属錯体材料（Precursor）をUBE独自の合成・精製技術を用いて各種開発しております。用途は配線・バリア・電極用の金属（Ru、Co、Mn他）材料から、絶縁膜・保護膜用の材料（Al、Mg、Fe、Zn他）に至るまで幅広く取り揃えております。（開発品）

用途、荷姿

荷姿	容器（ボンベ）100mlから御要望に応じて供給致します。 ステンレス容器
用途	半導体用配線 半導体配線用下地膜 半導体用電極 半導体絶縁膜（酸化・窒素膜） 保護膜 等