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ALD/CVD用金属錯体材料

高純度化学品・半導体製造用装置

概要

電子、半導体分野での薄膜形成方法としてMOCVD法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)、ALD法(Atomic Layer Deposition)が用いられています。当社ではこれらの形成手法に使用される金属錯体材料(Precursor)をUBE独自の合成・精製技術を用いて各種開発しております。用途は配線・バリア・電極用の金属(Ru、Co、Mn他)材料から、絶縁膜・保護膜用の材料(Al、Mg、Fe、Zn他)に至るまで幅広く取り揃えております。(開発品)

用途、荷姿

荷姿
  • 容器(ボンベ)100mlから御要望に応じて供給致します。
  • ステンレス容器
用途
  • 半導体用配線
  • 半導体配線用下地膜
  • 半導体用電極
  • 半導体絶縁膜(酸化・窒素膜)
  • 保護膜 等

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